問題：什麽太陽能發電板發電量高？
精選回答：
單晶矽太陽能的光電（diàn）轉換效率高的達到24%,這是（shì）目前所有種（zhǒng）類的太陽能電池中光電轉換效率高的。但（dàn）是單晶矽太陽能電（diàn）池的製（zhì）作成本很大，以致於它還不能被大量廣泛和普遍地使用。多晶矽太陽能電池從製作成本上來講，比單（dān）晶矽太陽能電池要便（biàn）宜一些（xiē），但是多晶矽太陽能電池的光電轉換效率則要降（jiàng）低不少，此外，多（duō）晶矽太陽（yáng）能電池的使用壽命也要比（bǐ）單晶矽太陽能電池短。因此，從性能價格比（bǐ）來講，單晶矽太（tài）陽能電池還略（luè）好。
近十年來，研究者發現有一些化合物半導體材料適於作（zuò）太（tài）陽能光電轉化薄膜。例如（rú）CdS,CdTe；Ⅲ-V化合物半導體（tǐ）：GaAs,AIPInP等；用這些半導體（tǐ）製作（zuò）的薄膜（mó）太陽能電池表現出很（hěn）好光電轉（zhuǎn）化效率。具有梯度能帶間隙（導帶與價帶之（zhī）間的能級差）多元的半導（dǎo）體材料，可以擴大太陽能吸收光（guāng）譜範圍，進而提（tí）高光電轉化效率。使薄膜太陽能電池大量實際（jì）的應用（yòng）呈現廣闊的前景。在（zài）這些多元的半導（dǎo）體材料中Cu(In,Ga)Se2是一種性能（néng）優良太陽光吸收材料。以它為基礎可以設（shè）計出光（guāng）電轉換效率（lǜ）比矽薄（báo）膜太陽（yáng）能電池明顯地高的薄膜太陽能電池,可以達到（dào）的光電轉（zhuǎn）化（huà）率為18%。
知識拓展：
光伏發電量計算
一、精確計算
1.國家規範規定的方法
依據《光伏發電站設計規範》GB50797-2012式6.6.2：
Ep=HA×PAZ/Es×K
本（běn）計算方法（fǎ）是國家規範（fàn）的算（suàn）法，是發電量計算全麵、精準的算法，但是對於綜合效率（lǜ）係數的把握，需要計算電纜線損、逆（nì）變器損耗、變壓器損耗、組件損耗（溫度、遮擋、MPPT跟（gēn）蹤損耗率等）等，對非資深光伏（fú）從業人員來講，很難計算出來，根（gēn）據仿真結果計算，K的取值在75%-85%之間，根據具體項目而定（dìng）。一般項目，初步設計階段，可（kě）按照（zhào）80%取值；施工圖階段（duàn）需要詳細計算（suàn）（現在一般使用PVsyst仿真）。
2.輻射量計算方法
Ep=HA*S*K1*K2
式中：HA---傾斜（xié）麵太陽能總輻照量（KWh/㎡）；S---組件麵積綜合（㎡）；K1---組件（jiàn）轉換效率；K2---為係統綜合（hé）效率。
這種計算方（fāng）法是第一種方法（fǎ）的變化公式，適用於傾角（jiǎo）安裝的項目，隻要得到傾斜麵輻照度(或根據水平輻照（zhào）度進（jìn）行換算：傾斜麵輻照度=水平麵輻照度/cosα)，就可以計算出較準確的數據。係統綜合效率K也需（xū）要總額考（kǎo）慮電纜線損、逆變器損耗、變壓器損耗、組件損耗（溫度、遮擋、MPPT跟蹤損耗率等）等損耗一般取值在75%-85%之間。根據具體項目而定（dìng）。初步設計階段，可按照80%取值；施工圖階段需要詳細計算（現在一般使用PVsyst仿（fǎng）真）。
